参数:
1、针脚数:3;
2、功率Pd:120W;
3、引脚节距:2.54mm;
4、满功率温度:25°C;
5、功耗:94W。
irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY等,封装类型为TO-220AB。
扩展资料
主要作用:
1、由于irf540n主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组irf540n,irf540n一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。 。
2、irf540n为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小。
参考资料来源:百度百科-irf540n。
检验方法:
用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。
扩展资料:
结型场效应管(JFET)
1、结型场效应管的分类:结型场效应管有两种结构形式,它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极,它们是:栅极;漏极;源极。
电路符号中栅极的箭头
场效应管
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例),N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了所谓耗尽区,当漏极电源电压ED一定时,如果栅极电压越负,PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。
参考资料来源:百度百科-场效应管。
排列方式如图:
技术参数如下:
型号/规格: IRF540N。
种类: 绝缘栅(MOSFET)。
沟道类型: N沟道
导电方式: 耗尽型
开启电压: -(V)
夹断电压: -(V)
跨导: -(μS)
极间电容: -(pF)
低频噪声系数: -(dB)
最大漏极电流: -(mA)
最大耗散功率: -(mW) 。
Parameter: Value 。
Package: TO-220AB 。
Circuit: Discrete 。
Polarity: N 。
VBRDSS (V) : 100 。
RDS(on) 10V (mOhms): 44.0 。
ID @ 25C (A): 33 。
ID @ 100C (A): 23 。
Qg Typ : 47.3 。
Qgd Typ: 14.0 。
Rth(JC): 1.1 。
Power Dissipation (W): 140 。
PbF - FETD: PbFOption Available 。
IRF3205导通内阻小很多(约8毫欧),可以降低损耗,但耐压比540低(3205 60V;540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K,一般选50K较合适。
IRF540N的导通起控电压为2-4V,GS极之间最高电压不能超过20V,质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通(内阻最小),所以使用时如果有脉动或尖峰电压时,最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管,质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子,参数的一致性相当地好。