DDR4的颗粒普遍都能耐受1.45V以内的电压,专门的超频颗粒甚至可以耐受1.7V以内的电压(三星B-Die,镁光C9系列等等),1.47V不会有什么问题。
超4000基本不需要这么高的电压,1.4-1.43就足够了,除非你还想同时把时序压下去才需要给很高的电压。
DDR4-3200内存模块的标准电压为1.35伏特(V),也称为DDR4低电压(DDR4 Low Voltage)。这是DDR4内存的标准电压范围,比早期的DDR3内存的标准电压1.5伏特低了一些。
但是,需要注意的是,不同的DDR4-3200内存模块可能具有不同的电压规格,特别是对于一些高端的内存模块,它们可能需要更高的电压以实现超频等高性能操作。因此,在使用DDR4-3200内存时,建议查看内存制造商的规格表,以确保正确的电压设置和操作参数,从而获得最佳性能和稳定性。
就按原厂高频条的1.35v就行,现在的大部分普条都能超到2933,其实那些高频条也都是厂家超上去的,ddr4颗粒在1.4v之内都是安全电压,通常1.35v比较合适,高了作用也不大。
1.35V。ddr的标称工作频率DDR43600下内存工作电压为1.35V,不同类型的内存电压也不同,但各自均有自己的规格,超出其规格,容易造成内存损坏。DDR是指运行内存一种,内存电压指内存正常工作所需要的电压值。
第四代DDR4内存条的电压都是1.2V的,这是由制造商严格规定的。
DDR4内存没有低压产品。所有产品的电压均为标准电压。仅DDR3具有标准电压和低压,DDR3L为1.35v,标准DDR3为1.5v。
DDR4和DDR3之间有三个主要区别:16位预取机制(DDR3为8位),在相同核心频率下,理论速度是DDR3的两倍。传输规格更加可靠,数据可靠性进一步提高;工作电压降至1.2V,更节能。
扩展资料
1、具有2400MHz的高频:
DDR4内存最大优点是增加了频率和带宽。当前市场上的主流频率是DDR4-2133,而爆炸性的16GB DDR4封装频率是2400MHz。更高的频率将带来更快的带宽。新内存的每个引脚均可提供2Gbps(256MB / s)的带宽,DDR4。-2400的内存带宽比DDR4-2133高30%。
2、较低的电压突出了高频和节能的优势。
DDR3台式机内存的标准电压为1.5V,即使是节能版本也仅为1.35V,而DDR4台式机内存的标准电压将进一步降低至1.2V。 DDR4继续沿着高频和低压的方向发展,显示出高频和节能的优势。
3、添加6个RAS功能
与DDR3相比,DDR4增加了6种RAS功能,因此DDR4变得更加可靠。六个属性是CMD / ADDR,数据,机械损坏,信誉,抗应力和现场维修。
参考资料:百度百科-DDR4内存。