内存时序高好还是低好
刘耀文的大沙雕
钟意阿满
内存的时序到底是越高越好还是越低越好
内存时序高说明系统的性能较低，延迟大，故会对电脑的性能产生一定的影响。
内存定时较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。
记忆体计时是描述记忆体模组效能的参数。它通常存储在存储模块的spd中，简称cl值，它是记忆的重要参数之一。一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印cl值，目前一般较好的内存模块都会在参数中标注cl值。
一般来说，时序是决定存储器性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能越好。它还与存储容量和频率有关，只能说在相同容量和频率的两个存储器中，定时越低，性能越好。
扩展资料：
内存时序具体含义：
存储器定时是描述存储器模块性能的参数，通常存储在存储器模块的spd中，与通用编号“a-b-c-d”对应的参数是“cl trcd trp tras”，其含义如下：
1、cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）
的确，在相同的频率下，cl值越小，存储模块的性能越好，随着存储模块频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。
2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的区别。
TrCD的值对记忆的最大频率有最大的影响，内存模块想达到高频，但如果不能提高电压，放松cl值，只能增加trcd值。
今天的DDR4一般是1.2V。如果你想让CL看起来很好，如果你想让内存模块被超频到一个更高的水平，那么就增加TRCD，如果你想要灯光效果，那么就增加计时。因此，大的trcd并不意味着坏的存储模块，相反，它意味着存储模块可以超过很高的频率。
3、TRP：下一个周期前预充电所需的时钟周期。
虽然trp的影响会随着银行的频繁经营而增加，但其影响也会因银行间的交叉经营和指令供给而减弱。trp的放松有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp，使内存模块更加兼容。
4、tras：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。
此操作不经常发生，仅在内存空闲或新任务开始时使用。tras值太小会导致数据错误或丢失，值太大会影响内存性能，如果内存模块的负载较大，tras的值可以稍微放宽。
参考资料来源：百度百科--内存时序。
抱起亚轩找小葵
内存时序越高性能越好吗
内存时序越低性能越好
不过内存频率越高的话相应的时序也就会越高。
同频率的情况下时序越低越好
大圣杰锅是
内存延迟时序高好还是低好？？
内存时序越低性能越好
不过内存频率越高的话相应的时序也就会越高。
同频率的情况下时序越低越好
小韩在追星
内存时序数字是大好还是小好
延迟越低，速度越快。
一般内存是频率越高，延迟越大。
威刚红色威龙DDR2
800+
CL4-4-4-12，标是这样标的，但一般在800M频率都是在5-5-5-15，在667M时有可能4-4-4-12。
芝奇DDR2
800
CL5-5-5-15应该这个好。
我用的金邦黑龙条DDR2
800，是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。
内存好不好，关键看颗粒，目前用镁光颗粒的内存最好。
小韩在追星
内存是低时序低频率好还是高时序高频率好
时序可以浅显的理解为内存的数据刷新速度。
每X个周期刷新一次，以便填充新的数据。
时序越小自然越好
普通的DDR3
1600内存条一般都是CL9，也有CL10/11的。
而DDR3
2133的同样品牌同样价格的内存条，如果是延迟同样还是CL9的，那么他的售价要贵上一半。
因为内存频率增加了，而时序没有增加。
我们可以看到，很多厂家都推出了价格很低的DDR3。
2400内存条，但是值得注意的是，这些廉价的内存时序是CL11，时钟周期比率是2T，电压是1.65V（普通是1.5V，低压1.35V）可以说除了带宽，一无是处。
默认情况下，内存时序与稳定性没有太大关系。
对于内存超频来说，内存的体质（时序和耐不耐高电压）就是影响稳定性的关键。