InternationalRectifier 公司的IR2233 是专为高压、高速功率MOSFET 和IGBT 门极驱动而设计的功率驱动器件.该驱动芯片内部集成了三个独立的相对高边和低边输出。
通道可分别用于三相应用。其逻辑输入与5VCMOS 或LSTTL 输出电平兼容。一个独立的运算放。
大器通过外部检测电阻可提供一个桥电流模拟反馈。电流释放功能可通过该电阻终止传送的6。
个输出,关闭功能可用于终止全部6 个输出。IR2233 提供了一个开漏故障输出可用于指示过。
流或欠压关闭功能,输出驱动器是一个高脉冲电流缓冲级,可用于最小驱动器的交叉导通,传。
输延迟匹配适合于高频应用。在高边结构中,可用浮动通道驱动N 沟道功率MOSFET 或IGBT,
工作电压达1200V。正常工作时,芯片输出门极驱动电压为12~20V,输出电流可达420mA,
典型开通关断时间为700ns,最小死区时间为200ns,适用于5HP 以下的三相电机驱动。
镇流器在我们的日常生活中应该是比较少见。如果在光管损坏的时候,我们就需要更换镇流器,到底怎么样去选购镇流器才是最好呢?因为市场上的镇流器品牌参差不齐,而且价格不一,我们真的很难有合适的选择。所以今天小编就给大家带来各种镇流器的报价,镇流器什么牌子好。希望大家可以对镇流器有所了解,并能够很好的选到自己满意的镇流器。
镇流器什么牌子好
1、ABB镇流器
ABB集团(阿西布朗勃法瑞)于1988年由瑞典 ASEA 公司和瑞士BBC Brown Boveri公司合并而成,是一个业务遍及全球的电气工程集团,ABB是电力和自动化技术领域的全球领先公司,致力于为工业和电力行业客户提供解决方案,以帮助客户提高业绩,同时降低对环境的不良影响。ABB集团的业务遍布全球100多个国家,拥有107,000名员工。为全球100多个国家的顾客提供服务。
ABB镇流器的特点是:节能。荧光灯的EEFL镇流器灯的电子镇流器,多使用20~60kHz频率供给灯管,使灯管光效比工频提高约10%(按长度为4尺的灯管),且自身功耗低,使灯的总输入功率下降约20%,有更佳的节能效果。
ABB集团超过一半的营业额来自欧洲市场;近四分之一来自亚洲、中东和非洲;五分之一强来自南北美洲市场。
2、IR国际镇流器
IR公司是International Rectifier(国际整流器公司)的缩写。IR公司成立于1947年,是世界上具有悠久历史的半导体公司。该公司从生产整流器开始而得名并逐步闻名世界,目前是世界上最主要的功率半导体器件公司。该公司目前年销售额6~7亿美元。
IR国际镇流器的特点:能够消除了频闪,发光更稳定。有利于提高视觉分辨率,提高功效;降低连续作业的视觉疲劳,有利于保护视力。
3、赛米控镇流器
SEMIKRON INTERNATIONAL GmbH由FritzMartin博士创建于1951年,是一家国际领先的半导体器件制造商。赛米控公司总部位于德国纽伦堡,全球拥有超过3000名员工,是财政独立的家族式企业。赛米控在全球共有37家子公司,在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国分别设有生产基地,全球共有8个方案解决中心(分别在:中国,美国,法国,韩国,巴西,南非,印度,澳大利亚),能够为客户提供快速和全面的现场服务。
赛米控镇流器的特点是: 起点更可靠。预热灯管后一次起点成功,避免了多次起点。而且可以调光。对于需要调光的场所,如:原使用白炽灯或卤钨灯调光的场所,代之以高效荧光灯配可调光电子镇流器,可实现在2%~100%的大范围调光。
4、西整所镇流器
西安电力电子技术研究所, 原隶属于国家机械工业部,成立于1999年,是我国在电力电子行业领域的技术归口研究所,是本行业的全国学会、协会、国家重要核心期刊、国际IEC T42专委会和全国电力电子学标准化技术委员会秘书处所在地,国家电力电子产品质量监督检验中心挂靠单位。是我国唯一一所从事电力半导体器件工艺技术、变流技术研究的专业研究所。
西整所镇流器的特点:稳定输入功率和输出光通量:高品质产品有良好的稳压性能,在电源、电压偏差很大时,仍能保持光源恒定功率,稳定光照度,有利于节能。
电感镇流器工作原理
当开关闭合电路中施加220V 50HZ的交流电源时,电流流过镇流器,灯管灯丝启辉器给灯丝加热(启辉器开始时是断开的,由于施加了一个大于190V以上的交流电压,使得启辉器内的跳泡内的气体弧光放电,使得双金属片加热变形,两个电极靠在一起,形成通路给灯丝加热),当启动器的两个电极靠在一起,由于没有弧光放电,双金属片冷却,两极分开,由于电感镇流器呈感性,当电路突然中断时,在灯两端会产生持续时间约1ms的600V-1500V的脉冲电压,其确切的电压值取决于灯的类型,在放电的情况下,灯的两端电压立即下降,此时镇流器一方面对灯电流进行限制作用,另一方面使电源电压和灯的工作电流之间产生55。-65。的相位差,从而维持灯的二次启动电压,使灯能更稳定的工作。
电感镇流由于结构简单,作为第一种荧光灯配合工作的镇流器,它的市场占有率还比较大,由于它的功率因数低,低电压启动性能差,耗能笨重,频闪等诸多缺点,它的市场慢慢地被电子镇流器所取代,电感镇流器能量损耗:40W(灯管功率)+10W(电感镇流器自身发热损耗)等于整套灯具总耗电为50W。
我们在选购一件镇流器最主要的,就是对这个镇流器的体验。之所以那么多人不选择网购,是因为在网上购买物品的时候我们不能够真切的体验到这个镇流器,而在现场购买的话会让人感觉踏实很多。今天土巴兔的小编写的这篇文章,希望能够很好的帮助大家体验到这一个镇流器品牌,以及这个镇流器品牌质量,让大家更加了解自己的需求明白自己到底需要的是什么,希望文章能够对大家有用。
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1206对应封装为:L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm)。
0805对应封装为:L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)。
封装尺寸是长x宽,0805,0603,1206 这些单位是英制,0805代表0.8英寸x0.5英寸,而1英寸=25.4毫米。
注意:封装尺寸是实物封装的尺寸,不是焊盘的或者pcb封装图的尺寸,pcb封装图的尺寸会稍微大些。
二三极管封装不同大小体积的原因:
1、不同大小的封装所对应的额定的功率是不同的,所以不同的封装要根据在产品设计中需要的功率进行选择。
2、就是不同的大小的封装体积是不尽相同的,那么同样是在设计可穿戴等设备的时候通常要选择小体积器件。
3、原因就是封装的大小对高频信号有着不同的影响,体积越小的电阻的高频特性越好。
4、就是个人的焊接问题了,如果在平时的做试验中我们没有足够的焊接功底,那么自然我们就要选择相对比较大体积的电阻进行焊接了,因为体积越大就越好焊接。
扩展资料:
常见二极管封装的特殊命名方式及尺寸如下:
0402对应封装为1.0*0.5mm,特殊命名为SOD-723,尺寸为1.4*0.6mm。
0603对应封装为1.6*0.8mm,特殊命名为SOD-523,尺寸为1.6*0.8mm。
0805对应封装为2.0*1.2mm,特殊命名为SOD-323 ,尺寸为2.65*1.3mm MicroMelf:1.9*1.2。
1206对应封装为3.2*1.6mm,特殊命名为SOD-123,尺寸为3.7*1.6mm MiniMelf :3.5*1.5。
例如:1206:表示那个元件的长120mil,宽60mil。
mil为PCB 或晶片布局的长度单位,1 mil = 千分之一英寸。即1mil=0.00254cm。
参考资料:百度百科-二极管封装。
我国SMIC成为世界第三大合约芯片生产商。
据报道,我国大陆的合约半导体生产商中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)已经挤掉新加坡特许半导体制造公司,在2005年成为世界第三大硅芯片供应商。
SMIC去年的市场份额为6.4%,销售额11.7亿美元,年增20.1%,超过了特许半导体的6.2%、11.3亿美元、2.6%。
在SMIC之前位列第一和第二的分别是我国台湾的TSMC(台积电)和UMC(联电)。2005年TSMC的份额高达44.8%,销售额82.2亿美元,年增7.2%;UMC份额为15.4%,销售额28.2亿美元,下降19.3%。排名第五的是IBM生产部门,份额4.5%,销售额8.23亿美元,年增2.1%。
其他排名前十的合约芯片生产商还有:韩国MagnaChip半导体(2.1%,3.96亿美元)、台湾Vanguard国际半导体(1.9%,3.54亿美元)、韩国Dongbu半导体(1.9%,3.47亿美元)、我国上海Hua Hong NEC(1.7%,3.05亿美元)、美国捷智Jazz半导体(1.1%,2.10亿美元)。
芯片生产商一览表
A-Data Technology。
Advanced Analogic Technologies。
Advanced Linear Devices。
Advanced Micro Devices (美国先进微电子器件公司)
Advanced Monolithic Systems。
Advanced Power Technology。
Advanced Semiconductor。
AECO(日本阿伊阔公司)
AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)。
Aeroflex Circuit Technology。
Agere Systems
Agilent(Hewlett-Packard)。
Allegro MicroSystems。
Alpha Industries。
Altera Corporation。
AMIC Technology。
ANADIGICS, Inc
Analog Devices (美国模拟器件公司)。
Analog Intergrations Corporation。
Analog Microelectronics。
Analog Systems (美国模拟系统公司)。
Apuls Intergrated Circuits。
Asahi Kasei Microsystems。
ATMEL Corporation。
AUK corp
austriamicrosystems AG。
AVX Corporation。
AZ Displays
Boca Semiconductor Corporation。
Brilliance Semiconductor。
Burr-Brown Corporation。
Bytes
C&D Technologies。
California Micro Devices Corp。
Calogic, LLC
Catalyst Semiconductor。
Central Semiconductor Corp。
Ceramate Technical。
Cherry Semiconductor Corporation (美国切瑞半导体器件公司)。
Chino-Excel Technology。
Cirrus Logic
Clare, Inc.
CML Microcircuits。
Comchip Technology。
Compensated Deuices Incorporated。
Cypress Semiconductor。
Daewoo Semiconductor (韩国大宇电子公司)。
Dallas Semiconducotr。
Dc Components
DENSEI-LAMBDA
Diodes Incorporated。
Diotec Semiconductor。
Dynex Semiconductor。
EIC discrete Semiconductors。
ELAN Microelectronics Corp。
Elantec Semiconductor。
Elpida Memory
Epson Company
Ericsson
ETC
Etron Technology, Inc.。
Exar Corporation。
Fairchild Semiconductor (美国仙童公司)。
Filtronic Compound Semiconductors。
Formosa MS
Fuji Electric
Fujitsu Media Devices Limited (日本富士通公司)。
General Semiconductor。
General Instruments [GI] (美国通用仪器公司)。
Gilway Technical Lamp。
GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]。
GOOD-ARK Electronics。
Hamamatsu Corporation。
Harris Corporation。
Hi-Sincerity Mocroelectronics。
Hirose Electric。
Hitachi Semiconductor (日本日立公司)。
Hittite Microwave Corporation。
Holt Integrated Circuits。
Holtek Semiconductor Inc。
Humirel
Hynix Semiconductor。
IMP, Inc
Impala Linear Corporation。
Infineon Technologies AG。
InnovASIC, Inc
inntech (美国英特奇公司)。
Integrated Circuit Solution Inc。
Integrated Circuit Systems。
Integrated Device Technology。
Intel Corporation。
International Rectifier。
Intersil Corporation (美国英特锡尔公司)。
ITT(德国ITT-半导体公司)。
Jinan Gude Electronic Device。
KEC(Korea Electronics)。
Kemet Corporation。
Knox Semiconductor, Inc。
Kodenshi Corp
Kyocera Kinseki Corpotation。
Lattice Semiconductor。
LEM
Leshan Radio Company。
Level One�?s
Linear Technology。
Lite-On Technology Corporation。
Littelfuse
LOGIC Devices Incorporated。
LSI Computer Systems。
Macronix International。
Marktech Corporate。
Matsushita Electric Works(Nais)。
Maxim Integrated Products (美国)美信集成产品公司。
Micrel Semiconductor。
Micro Commercial Components。
Micro Electronics。
Micro Linear Corporation。
MICRO NETWORK(美国微网路公司)。
MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)。
AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)。
Microchip Technology。
Micron Technology。
Micropac Industries。
Microsemi Corporation。
Mitel Networks Corporation。
MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)。
Mitsubishi Electric Semiconductor (日本三菱电机公司)。
Mosel Vitelic, Corp。
Mospec Semiconductor。
MOSTEK(美国莫斯特卡公司)。
Motorola, Inc (美国莫托罗拉半导体产品公司)。
MULLARD(英国麦拉迪公司)。
National Semiconductor (美国国家半导体公司)。
NEC ELECTRON(日本电气公司)。
New Japan Radio (新日本无线电公司)。
Nippon Precision Circuits Inc。
NITRON(美国NITROR公司)。
NTE Electronics。
OKI electronic componets (日本冲电气有限公司)(美国OKI半导体公司)。
ON Semiconductor。
OTAX Corporation。
Pan Jit International Inc.。
Panasonic Semiconductor (日本松下电器公司)。
PerkinElmer Optoelectronics。
Philips Semiconductors (荷兰菲利浦公司)。
PLESSEY(英国普利西半导体公司) Plessey。
PMC-Sierra, Inc。
Polyfet RF Devices。
Power Innovations Limited。
Power Integrations, Inc.。
Power Semiconductors。
Power-One
Powerex Power Semiconductors。
Powertip Technology。
Precid-Dip Durtal SA。
Princeton Technology Corp。
PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)。
QT Optoelectronics。
QUALCOMM Incorporated。
RAYTHEON(美国雷声公司)。
RCA(美国无线电公司)
Recom International Power。
Rectron Semiconductor。
RF Micro Devices。
RICOH electronics devices division。
Rohm (日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)。
Sames
Samsung semiconductor (韩国三星电子公司)。
Sanken electric (日本三肯电子公司)。
Sanyo Semicon Device (日本三洋电气公司)。
Seiko Instruments Inc。
Seme LAB
Semicoa Semiconductor。
Semtech Corporation。
Semtech International Holdings Limited。
SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)。
Shanghai Lunsure Electronic Tech。
Shanghai Sunrise Electronics。
Sharp Electrionic Components [日本夏普(声宝)公司]。
Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd。
Siemens Semiconductor Group (德国西门子公司)。
SiGe Semiconductor, Inc.。
SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)。
SILICON GENERAL(美国通用硅片公司)。
Silicon Storage Technology, Inc。
Sipex Corporation。
SOLITRON(美国索利特罗器件公司) Solitron。
SONiX Technology Company。
Sony Corporation (日本索尼公司)。
SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)。
SSS(美国固体科学公司)
STMicroelectronics。
Supertex, Inc
Surge Components。
System Logic Semiconductor。
Taiwan Memory Technology。
Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc。
Teccor Electronics。
TelCom Semiconductor, Inc。
TEMIC Semiconductors。
TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司)。
Texas Instruments (美国德克萨斯仪器公司)。
Thermtrol Corporation。
THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)。
TOKO, Inc
Tontek Design Technology。
Torex Semiconductor。
Toshiba Semiconductor。
TRACO Electronic AG。
Traco Electronic AG。
TRANSYS Electronics Limited。
TriQuint Semiconductor。
TRSYS
TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)。
Tyco Electronics。
UMC Corporation。
UNISEM
Unisonic Technologies。
United Monolithic Semiconductors。
Unity Opto Technology。
Vaishali Semiconductor。
Vanguard International Semiconductor。
Vicor Corporation。
Vishay Siliconix。
Vishay Telefunken。
Winbond
Wing Shing Computer Components。
Wolfgang Knap
Wolfson Microelectronics plc。
Won-Top Electronics。
Xicor Inc.
Xilinx, Inc
YAMAHA(日本雅马哈公司)。
Zetex Semiconductors。
Zilog, Inc.
Zowie Technology Corporation。
最大电压是正负20V。
IRFP2907PBF参数:75V,4.5mO,177A,330W。
制造商: International Rectifier 。
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息 。
晶体管极性: N-Channel 。
Vds-漏源极击穿电压: 75 V 。
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 。
Id-连续漏极电流: 209 A 。
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms 。
配置: Single
Qg-栅极电荷: 410 nC 。
最大工作温度: + 175 C 。
Pd-功率耗散: 330 W 。
安装风格: Through Hole 。
封装 / 箱体: TO-247-3 。
封装: Tube
商标: International Rectifier 。
通道模式: Enhancement 。
下降时间: 130 ns
最小工作温度: - 55 C 。
上升时间: 190 ns
工厂包装数量: 25
典型关闭延迟时间: 130 ns。