STM32F407-100
刘耀文的大沙雕
钟意阿满
STM32F407，了解的请介绍下这个芯片性能，谢谢
STM32F4是由ST(意法半导体)开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。
简介：
ST(意法半导体)推出了以基于ARM® Cortex™-M4为内核的STM32F4系列高性能微控制器，其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。
ART技术使得程序零等待执行，提升了程序执行的效率，将Cortext-M4的性能发挥到了极致，
使得STM32 F4系列可达到210DMIPS@168MHz。
自适应实时加速器能够完全释放Cortex-M4 内核的性能;当CPU 工作于所有允许的频率(≤168MHz)时，在闪存中运行的程序，可以达到相当于零等待周期的性能。
STM32F4系列微控制器集成了单周期DSP指令和FPU(floating point unit，浮点单元)，提升。
了计算能力，可以进行一些复杂的计算和控制。
STM32 F4系列引脚和软件兼容于当前的STM32 F2系列产品。
优点
※兼容于STM32F2系列产品，便于ST的用户扩展或升级产品，而保持硬件的兼容能力。
※集成了新的DSP和FPU指令，168MHz的高速性能使得数字信号控制器应用和快速的产品开发达到了新的水平。提升控制算法的执行速度和代码效率。
※先进技术和工艺
- 存储器加速器:自适应实时加速器(ART Accelerator™ )。
- 多重AHB总线矩阵和多通道DMA:支持程序执行和数据传输并行处理，数据传输速率非常快。
- 90nm工艺
※高性能
- 210DMIPS@168MHz。
- 由于采用了ST的ART加速器，程序从FLASH运行相当于0等待更多的存储器。
- 多达1MB FLASH (将来ST计划推出2MB FLASH的STM32F4)。
- 192Kb SRAM:128KB 在总线矩阵上，64KB在专为CPU使用的数据总线上高级外设与STM32F2兼容。
- USB OTG高速 480Mbit/s。
- IEEE1588， 以太网 MAC 10/100。
- PWM高速定时器:168MHz最大频率。
- 加密/哈希硬件处理器:32位随机数发生器(RNG)。
- 带有日历功能的32位RTC:<1 μA的实时时钟，1秒精度。
※更多的提升
- 低电压:1.8V到3.6V VDD，在某些封装上，可降低至1.7V。
- 全双工I2S
- 12位 ADC:0.41us转换/2.4Msps(7.2Msps在交替模式)。
- 高速USART，可达10.5Mbits/s。
- 高速SPI，可达37.5Mbits/s。
- Camera接口，可达54M字节/s。
抱起亚轩找小葵
STM32F407VGT6TR单片机规格？
1.STM32F407ZG应用。
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC，变频器，断路器。
打印机和扫描仪
报警系统，可视对讲，暖通空调
家用音响设备
2.STM32F407ZG概述。
STM32F407ZG系列是基于高性能的ARM®Cortex™-M4F的32位RISC内核，工作频率高达168 MHz的。的Cortex-M4F核心功能支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型的单精度浮点单元（FPU）。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元（MPU），从而提高应用程序的安全性。
该STM32F407ZG系列采用高速嵌入式存储器（多达1 MB闪存，高达192 KB的SRAM），最多4字节的备份SRAM，以及广泛的增强I / O的连接到两条APB总线和外设，两个AHB总线和一个32位的多AHB总线矩阵。
所有STM32F407ZG设备提供3个12位ADC，两个DAC，1个低功耗RTC，12个通用16位定时器，其中包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器。一个真正的随机数发生器（RNG）。他们还配备了标准和先进的通信接口。
3.STM32F407ZG参数。
STM32F407ZG存储器程序闪存（KB） 1024 RAM（KB） 192 。
STM32F407ZG性能参数，工作频率（兆赫） 168 。
16位定时器（IC / OC / PWM） 12（24/24/30）
32位定时器（IC / OC / PWM） 2（8/8/8）
A / D转换器 3X12位 。
D / A转换器 2X12位 。
通信接口 3xSPI 2xI2S 2xI2C; 4xUSART 2xUART 两个USB OTG（FS + FS / HS）; 。
2xCAN 1xSDIO 以太网MAC10/100 的I / O 114 。
电压（V）：1.8到3.6 。
4.STM32F407ZG封装与引脚。
LQFP144
大圣杰锅是
STM32F407zgt6和STM32F407vgt6有什么区别
你好，STM32F407VGT6TR 闪存32位单核微控制器IC。
芯片规格：
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：192K x 8。
电压 - 供电 (Vcc/VDD)：1.8V ~ 3.6V。
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳：100-LQFP（14x14）
小韩在追星
如何判断STM32F407VGT6好坏
封装形式不同
STM32F407zgt6是144pin。
STM32F407vgt6是100pin。
小韩在追星
stm32f407与四针oled怎么连接
IC的好坏测试
一、不在路检测
这种方法是在ic未焊入电路时进行的，一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，并和完好的ic进行 较。
二、在路检测
这是一种通过万用表检测ic各引脚在路（ic在电路中）直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换ic的局限性和拆卸ic的麻烦，是检测ic最常用和实用的方法。
2.直流工作电压测量
这是一种在通电情况下，用万用表直流电压挡对直流供电电压、外围元件的工作电压进行测量；检测ic各引脚对地直流电压值，并与正常值相 较，进而压缩故障范围， 出损坏的元件。测量时要注意以下八 ：
（1）万用表要有足够大的内阻， 少要大于被测电路电阻的10倍以上，以免造成较大的测量误差。
（2）通常把各电位器旋到中间位置，如果是电视机，信号源要采用标准彩条信号发生器。
（3）表笔或探头要采取防滑措施。因任何瞬间短路都容易损坏ic。可采取如下方法防止表笔滑动：取一段自行车用气门芯套在表笔尖上，并长出表笔尖约0.5mm左右，这既能使表笔尖良好地与被测试点接触，又能有效防止打滑，即使碰上邻近点也不会短路。
（4）当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对ic正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析， 能判断ic的好坏。
（5）ic引脚电压会受外围元器件影响。当外围元器件发生漏电、短路、开路或变值时，或外围电路连接的是一个阻值可变的电位器，则电位器滑动臂所处的位置不同，都会使引脚电压发生变化。
（6）若ic各引脚电压正常，则一般认为ic正常；若ic部分引脚电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，检查外围元件有无故障，若无故障，则ic很可能损坏。
（7）对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，ic各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定ic损坏。
（8）对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，ic各引脚电压也是不同的。
3.交流工作电压测量法
为了掌握ic交流信号的变化情况，可以用带有db插孔的万用表对ic的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入db插孔；对于无db插孔的万用表，需要在正表笔串接一只0.1～0.5μf隔直电容。该法适用于工作频率 较低的ic，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，只能供参考。
4.总电流测量法
该法是通过检测ic电源进线的总电流，来判 ic好坏的一种方法。由于ic内部绝大多数为直接耦合，ic损坏时（如某一个pn结击穿或开路）会引起后级饱和与截止，使总电流发生变化。所以通过测量总电流的方法可以判 ic的好坏。也可用测量电源通路中电阻的电压降，用欧姆定律计算出总电流值。
测判三极管的口诀
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
一、 三颠倒，找基极
大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。对于指针式万用电表有，其红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的 第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极（如这两个电极为1、2），用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和 2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测。
量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必 然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、 顺箭头，偏转大
找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢？这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
（1）对于NPN型三极管，由NPN型三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
（2）对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极。
→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一 定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。
四、 测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住（或用舌头抵住）基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。